Транзисторы полевые, IGBT
2SJ177 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
20
2SJ200 Транзистор
Корпус:
TO3P
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
180
Макс. ток (Iси), А:
10
2SJ201 Транзистор
Корпус:
2-21F1A
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
200
Макс. ток (Iси), А:
12
2SJ377 Транзистор
Корпус:
D2PAK
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
5
2SJ449 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
250
Макс. ток (Iси), А:
6
2SJ5027F plast Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
300
Макс. ток (Iси), А:
3
2SJ512 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
250
Макс. ток (Iси), А:
5
2SJ5804 Транзистор
Корпус:
TO3PF
Структура:
NPN
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
1.8
Макс. напряжение (Uкэ), В:
1700
Макс. ток (Iк), А:
20
Коэф. усиления (h21э):
80
Макс. частота (fгр), МГц:
45
2SJ6806D Транзистор
Корпус:
TO3PF
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
200
Макс. ток (Iси), А:
2.5
2SK1058 Транзистор
Корпус:
TO3PB
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
160
Макс. ток (Iси), А:
7