Транзисторы

На странице:
 IPP 60R190C6 (6R190C6) Транзистор
IPP 60R190C6 (6R190C6) Транзистор Корпус: TO220
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 650
Макс. ток (Iси), А: 20
138
В наличии В наличии: 2 шт
10N20 Транзистор
10N20 Транзистор Корпус: TO220F
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 200
Макс. ток (Iси), А: 10
62
В наличии В наличии: 3 шт
10N20L Транзистор
10N20L Транзистор Корпус: DPAK
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 200
Макс. ток (Iси), А: 10
63
В наличии В наличии: 1 шт
10N90 Транзистор
10N90 Транзистор Корпус: TO3P
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 900
Макс. ток (Iси), А: 10
154
Нет в наличии
10NK60ZFP Транзистор
10NK60ZFP Транзистор Корпус: TO220F
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 10
90
В наличии В наличии: 5 шт
10NK80ZFP Транзистор
10NK80ZFP Транзистор Корпус: TO220F
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 800
Макс. ток (Iси), А: 9
140
Нет в наличии
10PF06 (TO252) Транзистор
10PF06 (TO252) Транзистор Корпус: TO252
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 60
Макс. ток (Iси), А: 10
41
В наличии В наличии: 3 шт
11015G  (T1829,FW26025A1) Транзистор
11015G (T1829,FW26025A1) Транзистор Корпус: TO3
Структура: PNP Darlington
Макс. напряжение (Uкэ), В: 120
Макс. ток (Iк), А: 30
Коэф. усиления (h21э): 1000
Макс. частота (fгр), МГц: 4
298
В наличии В наличии: 2 шт
13N10 Транзистор
13N10 Транзистор Корпус: TO220
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 100
Макс. ток (Iси), А: 12.8
74
В наличии В наличии: 5 шт
14NC60KD Транзистор
14NC60KD Транзистор Корпус: TO220
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 4.5
146
Нет в наличии