Транзисторы полевые, IGBT
50N06 DPAK Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
50
50N06 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
50
50NB60M Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
50
50T60 ( IKW50N60T ) Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
50
5N20 Транзистор
Корпус:
TO251
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
200
Макс. ток (Iси), А:
5
5N60C Транзистор
Корпус:
TO251
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
2.8
60NF06 met Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
60
60NF06T4 Транзистор
Корпус:
D2PAK
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
60
60T65PES Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
60
6MBI50L-060 Транзистор
Корпус:
6-Pack
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
50