ГлавнаяКаталог товаровТранзисторыТранзисторы полевые, IGBT

Транзисторы полевые, IGBT

Все| Нет в наличии| Есть в наличии
На странице:
10
20
30
Все
CGP 2NB80 Транзистор
CGP 2NB80 Транзистор Корпус: DPAK
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 800
Макс. ток (Iси), А: 1.9
97
В наличии В наличии: 2 шт
В корзину
CGP 2NK90 Транзистор
CGP 2NK90 Транзистор Корпус: DPAK
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 900
Макс. ток (Iси), А: 2.1
88
В наличии В наличии: 4 шт
В корзину
CRTD045N03L Транзистор
CRTD045N03L Транзистор Корпус: TO252
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 80
41
В наличии В наличии: 7 шт
В корзину
DG302 (DG3C3020CL) Транзистор
DG302 (DG3C3020CL) Транзистор Корпус: D2PAK
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 330
Макс. ток (Iси), А: 250
153
В наличии В наличии: 4 шт
В корзину
FB59N10D Транзистор
FB59N10D Транзистор Корпус: TO220
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 100
Макс. ток (Iси), А: 59
170
Нет в наличии
FDD07096 Транзистор
FDD07096 Транзистор Корпус: DPAK
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 400
Макс. ток (Iси), А: 20
251
Нет в наличии
FDD4141 Транзистор
FDD4141 Транзистор Корпус: TO252
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 40
Макс. ток (Iси), А: 50
73
Нет в наличии
FDD4243 Транзистор
FDD4243 Транзистор Корпус: DPAK
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 40
Макс. ток (Iси), А: 14
149
В наличии В наличии: 3 шт
В корзину
FDD5614P Транзистор
FDD5614P Транзистор Корпус: TO252
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 60
Макс. ток (Iси), А: 15
114
Нет в наличии
FDD6035 Транзистор
FDD6035 Транзистор Корпус: TO252
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 46
237
В наличии В наличии: 1 шт
В корзину
202122232425262728