Транзисторы полевые, IGBT

FDS4410 Транзистор
FDS4410 Транзистор Корпус: SO8
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 10
76
Нет в наличии
FDS4435 Транзистор
FDS4435 Транзистор Корпус: SO8
Структура: P-Iogic
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 8.8
41
В наличии В наличии: 2 шт
FDS4559 Транзистор
FDS4559 Транзистор Корпус: SO8
Структура: N/P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 60
Макс. ток (Iси), А: 4.5
231
Нет в наличии
FDS4565 Транзистор
FDS4565 Транзистор Корпус: SO8
Структура: N/P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 40
Макс. ток (Iси), А: 7.6
319
В наличии В наличии: 2 шт
FDS4828 Транзистор
FDS4828 Транзистор Корпус: SO8
Структура: 2N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 60
Макс. ток (Iси), А: 4.5
81
Нет в наличии
FDS4914 Транзистор
FDS4914 Транзистор Корпус: SO8
Структура: 2N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 8.5
88
Нет в наличии
FDS4925 Транзистор
FDS4925 Транзистор Корпус: SO8
Структура: 2P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 7.1
82
В наличии В наличии: 4 шт
FDS4935 Транзистор
FDS4935 Транзистор Корпус: SO8
Структура: 2P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 7
64
В наличии В наличии: 3 шт
FDS4953 Транзистор
FDS4953 Транзистор Корпус: SO8
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 5
45
Нет в наличии
FDS6612 Транзистор
FDS6612 Транзистор Корпус: SO8
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 8.4
60
В наличии В наличии: 8 шт