Транзисторы полевые, IGBT

FDS6675 Транзистор
FDS6675 Транзистор Корпус: SO8
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 11
142
В наличии В наличии: 2 шт
FDS6680 Транзистор
FDS6680 Транзистор Корпус: SO8
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 11.5
98
Нет в наличии
FDS6685 Транзистор
FDS6685 Транзистор Корпус: SO8
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 8.8
73
В наличии В наличии: 2 шт
FDS6690 Транзистор
FDS6690 Транзистор Корпус: SO8
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 10
56
Нет в наличии
FDS6900S Транзистор
FDS6900S Транзистор Корпус: SO8
Структура: 2N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 8.2
222
Нет в наличии
FDS8884 Транзистор
FDS8884 Транзистор Корпус: SO8
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 8.5
99
В наличии В наличии: 1 шт
FDS8958A Транзистор
FDS8958A Транзистор Корпус: SO8
Структура: 2N/2P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 7
44
В наличии В наличии: 2 шт
FDS9435 Транзистор
FDS9435 Транзистор Корпус: SO8
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 5.3
43
В наличии В наличии: 5 шт
FDS9926A Транзистор
FDS9926A Транзистор Корпус: SO8
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 20
Макс. ток (Iси), А: 6.5
59
В наличии В наличии: 4 шт
FDS9933 Транзистор
FDS9933 Транзистор Корпус: SO8
Структура: 2P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 20
Макс. ток (Iси), А: 5
132
Нет в наличии