Транзисторы полевые, IGBT
FDS6675 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
11
FDS6680 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
11.5
FDS6685 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
8.8
FDS6690 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
10
FDS6900S Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
2N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
8.2
FDS8884 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
8.5
FDS8958A Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
2N/2P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
7
FDS9435 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
5.3
FDS9926A Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
20
Макс. ток (Iси), А:
6.5
FDS9933 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
2P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
20
Макс. ток (Iси), А:
5