Транзисторы полевые, IGBT
FGH60N60SMD Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
60
FGL 40N120AND Транзистор
Корпус:
TO3P
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1200
Макс. ток (Iси), А:
40
FKV550 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
4.2
Макс. ток (Iси), А:
50
FMH23N50E Транзистор
Корпус:
TO3P
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
500
Макс. ток (Iси), А:
23
FP7G50US60 Транзистор
Корпус:
IGBT-module
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
50
FPQF 7N65C Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
650
Макс. ток (Iси), А:
7
FQA 24N50 Транзистор
Корпус:
TO3P
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
50
Макс. ток (Iси), А:
24
FQA28N15 Транзистор
Корпус:
TO3P
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
15
Макс. ток (Iси), А:
33
FQA36P15 Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
150
Макс. ток (Iси), А:
36
FQD 12N20L Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
200
Макс. ток (Iси), А:
9