Транзисторы полевые, IGBT

GT35J321 Транзистор
GT35J321 Транзистор Корпус: TO3P
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 37
361
Нет в наличии
GT40WR21 Транзистор
GT40WR21 Транзистор Корпус: TO247AC
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 1800
Макс. ток (Iси), А: 40
446
Нет в наличии
GT45F122 Транзистор
GT45F122 Транзистор Корпус: TO220F
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 300
Макс. ток (Iси), А: 200
219
В наличии В наличии: 3 шт
GT50J325 Транзистор
GT50J325 Транзистор Корпус: 2-21F1A
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 50
503
В наличии В наличии: 4 шт
GT50J327 Транзистор
GT50J327 Транзистор Корпус: TO3P
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 50
539
В наличии В наличии: 1 шт
GT50JR22 Транзистор
GT50JR22 Транзистор Корпус: TO3P
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 50
266
В наличии В наличии: 9 шт
GT50N322 Транзистор
GT50N322 Транзистор Корпус: 2-21F1A
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 1000
Макс. ток (Iси), А: 50
361
Нет в наличии
GT50T301 Транзистор
GT50T301 Транзистор Корпус: 2-21F1A
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 1500
Макс. ток (Iси), А: 50
423
Нет в наличии
GT60N321 Транзистор
GT60N321 Транзистор Корпус: 2-21F2C
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 1000
Макс. ток (Iси), А: 60
488
В наличии В наличии: 3 шт
GW 30NC60 KD Транзистор
GW 30NC60 KD Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 20
284
Нет в наличии