Транзисторы полевые, IGBT

IPP 60R190C6 (6R190C6) Транзистор
IPP 60R190C6 (6R190C6) Транзистор Корпус: TO220
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 650
Макс. ток (Iси), А: 20
303
Нет в наличии
IPS 135N03L Транзистор
IPS 135N03L Транзистор Корпус: TO251
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 30
82
В наличии В наличии: 5 шт
IR2106S Транзистор
IR2106S Транзистор Корпус: SO8
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 20
Макс. ток (Iси), А: 0.12
242
Нет в наличии
IR2118 Транзистор
IR2118 Транзистор Корпус: DIP8
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 0.42
174
Нет в наличии
IR21844SPBF Транзистор
IR21844SPBF Транзистор Корпус: SO14
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 2.3
293
Нет в наличии
IR2184S Транзистор
IR2184S Транзистор Корпус: SO8
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 20
Макс. ток (Iси), А: 1.9
339
В наличии В наличии: 2 шт
IRAMS10UP60A Транзистор
IRAMS10UP60A Транзистор Корпус: IGBT-module
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 10
3 600
Нет в наличии
IRC530 Транзистор
IRC530 Транзистор Корпус: TO220-5
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 100
Макс. ток (Iси), А: 14
173
В наличии В наличии: 2 шт
IRF1010E Транзистор
IRF1010E Транзистор Корпус: TO220AB
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 60
Макс. ток (Iси), А: 81
120
В наличии В наличии: 3 шт
IRF1310N Транзистор
IRF1310N Транзистор Корпус: TO220
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 100
Макс. ток (Iси), А: 42
157
В наличии В наличии: 3 шт