Вход
Транзисторы полевые, IGBT
IKW50N60H3 ( K50H603 ) Транзистор
Корпус:
TO247AC
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
100
Нет в наличии
IPB107N20 Транзистор
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
200
Макс. ток (Iси), А:
88
IPD70S900P7SAUMA1 Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
700
Макс. ток (Iси), А:
6
IPP 60R190C6 (6R190C6) Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
650
Макс. ток (Iси), А:
20
IPS 135N03L Транзистор
Корпус:
TO251
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
30
IR2106S Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
20
Макс. ток (Iси), А:
0.12
IR2118 Транзистор
Корпус:
DIP8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
0.42
IR21844SPBF Транзистор
Корпус:
SO14
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
2.3
IR2184S Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
20
Макс. ток (Iси), А:
1.9
В наличии: 
IRAMS10UP60A Транзистор
Корпус:
IGBT-module
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
10