Транзисторы полевые, IGBT
IRF1404 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
40
Макс. ток (Iси), А:
162
IRF1405 Транзистор
Корпус:
TO220AB
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
55
Макс. ток (Iси), А:
133
IRF150 Транзистор
Корпус:
TO3
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
38
IRF2804 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
40
Макс. ток (Iси), А:
280
IRF2805 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
55
Макс. ток (Iси), А:
175
IRF2807 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
75
Макс. ток (Iси), А:
82
IRF3205 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
55
Макс. ток (Iси), А:
98
IRF3703 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
210
IRF3710 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
57
IRF3808 Транзистор
Корпус:
TO220AB
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
75
Макс. ток (Iси), А:
140