Транзисторы полевые, IGBT
IRF3703 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
210
IRF3710 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
57
IRF3808 Транзистор
Корпус:
TO220AB
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
75
Макс. ток (Iси), А:
140
IRF4905 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
55
Макс. ток (Iси), А:
74
IRF4905S Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
55
Макс. ток (Iси), А:
74
IRF510 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
5.6
IRF520 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
10
IRF5210 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
40
IRF5305 Транзистор
Корпус:
TO220AB
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
55
Макс. ток (Iси), А:
31
IRF530A Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
14