Вход
Транзисторы полевые, IGBT
IRF7307 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N/P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
20
Макс. ток (Iси), А:
4.3
Нет в наличии
IRF7309 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N/P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
4
В наличии: 
IRF7313 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
6.5
IRF7314 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
20
Макс. ток (Iси), А:
5.3
IRF7316 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
4.9
IRF7319 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N/P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
6.5
IRF7328 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
8
IRF7341 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
55
Макс. ток (Iси), А:
4.7
IRF7342 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
55
Макс. ток (Iси), А:
3.4
IRF7380 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
80
Макс. ток (Iси), А:
3.6