Транзисторы полевые, IGBT
IRF7413 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
13
IRF7414 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
15
Макс. ток (Iси), А:
3.1
IRF7416 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
10
IRF7424 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
11
IRF7455PBF Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
15
IRF7456 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
20
Макс. ток (Iси), А:
16
IRF7822TR Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
18
IRF830 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
500
Макс. ток (Iси), А:
5
IRF840 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
500
Макс. ток (Iси), А:
8
IRF9520N Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
6.8