Транзисторы полевые, IGBT
IRFP90N20D Транзистор
Корпус:
TO247AC
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
200
Макс. ток (Iси), А:
94
IRFP9140 Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
19
IRFP9240 Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
200
Макс. ток (Iси), А:
12
IRFPE50 Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
800
Макс. ток (Iси), А:
7.8
IRFPF50 Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
900
Макс. ток (Iси), А:
6.7
IRFPG50PBF Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
1000
Макс. ток (Iси), А:
6.1
IRFPS37N50A Транзистор
Корпус:
TO247SUPER
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
500
Макс. ток (Iси), А:
36
IRFR024N Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
55
Макс. ток (Iси), А:
16
IRFR1018E Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
79
IRFR110 Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
4.3