Транзисторы полевые, IGBT
IRFR310 Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
400
Макс. ток (Iси), А:
1.7
IRFR3418 Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
80
Макс. ток (Iси), А:
30
IRFR3709 Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
86
IRFR4105Z Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
55
Макс. ток (Iси), А:
30
IRFR5305 Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
55
Макс. ток (Iси), А:
28
IRFR9024 Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
8.8
IRFR9120N Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
6.5
IRFS17N20D Транзистор
Корпус:
D2PAK
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
200
Макс. ток (Iси), А:
16
IRFS4610 Транзистор
Корпус:
D2PAK
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
73
IRFS634B Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
250
Макс. ток (Iси), А:
8.1