Транзисторы полевые, IGBT
IRG4PF50W Транзистор
Корпус:
TO247AC
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
900
Макс. ток (Iси), А:
28
IRG4PF50WD Транзистор
Корпус:
TO247AC
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
900
Макс. ток (Iси), А:
28
IRG4PH40UD Транзистор
Корпус:
TO247AC
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1200
Макс. ток (Iси), А:
21
IRG4PH50K Транзистор
Корпус:
TO247AC
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1200
Макс. ток (Iси), А:
24
IRG4PH50U Транзистор
Корпус:
TO247AC
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1200
Макс. ток (Iси), А:
24
IRG4PH50UD Транзистор
Корпус:
TO247AC
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1200
Макс. ток (Iси), А:
24
IRG4PSC71U Транзистор
Корпус:
TO247SUPER
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
60
IRG7PH42UD Транзистор
Корпус:
TO247AC
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
900
Макс. ток (Iси), А:
28
IRG7PSH73K10PBF Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1200
Макс. ток (Iси), А:
75
IRG7R313U Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
330
Макс. ток (Iси), А:
40