Транзисторы полевые, IGBT

YJD120N04A Транзистор Корпус: TO252

Структура: N-channel

Тип: MOSFET

Макс.напряжение (Uси), В: 40

Макс. ток (Iси), А: 120

150

В наличии: 19 шт

YJQ50N03A Транзистор Корпус: PDFNWB 3.3x3.3

Структура: N-channel

Тип: MOSFET

Макс.напряжение (Uси), В: 30

Макс. ток (Iси), А: 50

В наличии: 10 шт