Транзисторы полевые, IGBT
FDD6035 Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
46
FDD6530 Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
20
Макс. ток (Iси), А:
21
FDD6635 ( APM4010 ) Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
35
Макс. ток (Iси), А:
59
FDD6637 Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
35
Макс. ток (Iси), А:
55
FDD6685 Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
40
FDD8447L ( APM4015 ) Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
40
Макс. ток (Iси), А:
54
FDH5500 Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
55
Макс. ток (Iси), А:
75
FDMC8884 Транзистор
Корпус:
BGA8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
9
FDMS7698 Транзистор
Корпус:
POWER56
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
22
FDP3651U Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
80
FDPF 51N25 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
250
Макс. ток (Iси), А:
28
FDS4410 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
10
FDS4435 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
P-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
8.8
FDS4559 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N/P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
4.5
FDS4565 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N/P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
40
Макс. ток (Iси), А:
7.6
FDS4828 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
2N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
4.5
FDS4914 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
2N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
8.5
FDS4925 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
2P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
7.1
FDS4935 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
2P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
7
FDS4953 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
5