ГлавнаяКаталог товаровТранзисторыТранзисторы полевые, IGBT

Транзисторы полевые, IGBT

Все| Нет в наличии| Есть в наличии
На странице:
10
20
30
Все
FDS6612 Транзистор
FDS6612 Транзистор Корпус: SO8
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 8.4
65
В наличии В наличии: 6 шт
В корзину
FDS6675 Транзистор
FDS6675 Транзистор Корпус: SO8
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 11
113
Нет в наличии
FDS6680 Транзистор
FDS6680 Транзистор Корпус: SO8
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 11.5
108
Нет в наличии
FDS6685 Транзистор
FDS6685 Транзистор Корпус: SO8
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 8.8
58
В наличии В наличии: 2 шт
В корзину
FDS6690 Транзистор
FDS6690 Транзистор Корпус: SO8
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 10
62
Нет в наличии
FDS6900S Транзистор
FDS6900S Транзистор Корпус: SO8
Структура: 2N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 8.2
247
Нет в наличии
FDS8884 Транзистор
FDS8884 Транзистор Корпус: SO8
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 8.5
78
В наличии В наличии: 1 шт
В корзину
FDS8958A Транзистор
FDS8958A Транзистор Корпус: SO8
Структура: 2N/2P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 7
70
В наличии В наличии: 2 шт
В корзину
FDS9435 Транзистор
FDS9435 Транзистор Корпус: SO8
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 5.3
50
В наличии В наличии: 5 шт
В корзину
FDS9926A Транзистор
FDS9926A Транзистор Корпус: SO8
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 20
Макс. ток (Iси), А: 6.5
65
В наличии В наличии: 4 шт
В корзину
FDS9933 Транзистор
FDS9933 Транзистор Корпус: SO8
Структура: 2P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 20
Макс. ток (Iси), А: 5
145
Нет в наличии
FDS9945 Транзистор
FDS9945 Транзистор Корпус: SO8
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 60
Макс. ток (Iси), А: 3.5
85
В наличии В наличии: 5 шт
В корзину
FDS9962 Транзистор
FDS9962 Транзистор Корпус: SO8
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 40
Макс. ток (Iси), А: 7
214
В наличии В наличии: 1 шт
В корзину
FGA 15N120AND Транзистор
FGA 15N120AND Транзистор Корпус: TO3P
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 1200
Макс. ток (Iси), А: 24
375
В наличии В наличии: 2 шт
В корзину
FGA 25N120ANTD Транзистор
FGA 25N120ANTD Транзистор Корпус: TO3P
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 1200
Макс. ток (Iси), А: 75
400
Нет в наличии
FGD4536 Транзистор
FGD4536 Транзистор Корпус: TO252
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 360
Макс. ток (Iси), А: 50
100
В наличии В наличии: 4 шт
В корзину
FGH 30S130P Транзистор
FGH 30S130P Транзистор Корпус: TO247
Структура: P-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 1300
Макс. ток (Iси), А: 60
405
Нет в наличии
FGH 40N60SFD Транзистор
FGH 40N60SFD Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 75
650
Нет в наличии
FGH 40N60SFDTU Транзистор
FGH 40N60SFDTU Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 75
350
от 5 шт 288
В наличии В наличии: 28 шт
В корзину
FGH 40N60SMD Транзистор
FGH 40N60SMD Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 75
475
В наличии В наличии: 1 шт
В корзину
101112131415161718