Транзисторы полевые, IGBT

IRLR3103 Транзистор
IRLR3103 Транзистор Корпус: DPAK
Структура: N-Iogic
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 46
50
Нет в наличии
IRLR3110 Транзистор
IRLR3110 Транзистор Корпус: DPAK
Структура: N-Iogic
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 100
Макс. ток (Iси), А: 63
266
Нет в наличии
IRLR7833 Транзистор
IRLR7833 Транзистор Корпус: DPAK
Структура: N-Iogic
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 140
111
Нет в наличии
IRLR7843 Транзистор
IRLR7843 Транзистор Корпус: DPAK
Структура: N-Iogic
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 161
103
В наличии В наличии: 4 шт
IRLU120N Транзистор
IRLU120N Транзистор Корпус: IPAK
Структура: N-Iogic
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 100
Макс. ток (Iси), А: 11
84
В наличии В наличии: 2 шт
IRLU8726PBF Транзистор
IRLU8726PBF Транзистор Корпус: IPAK
Структура: N-Iogic
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 86
92
Нет в наличии
IRLZ24N Транзистор
IRLZ24N Транзистор Корпус: TO220
Структура: N-Iogic
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 86
105
В наличии В наличии: 4 шт
IRLZ34N Транзистор
IRLZ34N Транзистор Корпус: TO220
Структура: N-Iogic
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 55
Макс. ток (Iси), А: 27
100
В наличии В наличии: 4 шт
ISL9V3040S3ST (V3040) Orig. Транзистор
ISL9V3040S3ST (V3040) Orig. Транзистор Корпус: D2PAK
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 400
Макс. ток (Iси), А: 18
395
В наличии В наличии: 11 шт
IXDD404SI Транзистор
IXDD404SI Транзистор Корпус: SO8
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 35
Макс. ток (Iси), А: 4
509
В наличии В наличии: 5 шт
IXTQ50N25T Транзистор
IXTQ50N25T Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 250
Макс. ток (Iси), А: 50
487
В наличии В наличии: 3 шт
J201 TO92 Транзистор
J201 TO92 Транзистор Корпус: TO92
Структура: N-channel
Тип: JFET
Макс.напряжение (Uси), В: 40
Макс. ток (Iси), А: 0.05
141
Нет в наличии
J601 Транзистор
J601 Транзистор Корпус: DPAK
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 60
Макс. ток (Iси), А: 36
194
Нет в наличии
K 30H603 (IKW30n60H3) Транзистор
K 30H603 (IKW30n60H3) Транзистор Корпус: TO247AC
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 60
310
Нет в наличии
M4003D Транзистор
M4003D Транзистор Корпус: TO252
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 40
Макс. ток (Iси), А: 27
85
В наличии В наличии: 5 шт
M4004D Транзистор
M4004D Транзистор Корпус: TO252
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 40
Макс. ток (Iси), А: 42
85
В наличии В наличии: 5 шт
MDD1653 Транзистор
MDD1653 Транзистор Корпус: TO252
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 50
157
В наличии В наличии: 6 шт
ME 15N10 Транзистор
ME 15N10 Транзистор Корпус: TO252
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 100
Макс. ток (Iси), А: 14.7
50
В наличии В наличии: 4 шт
MMBF170 ( 6Z ) Транзистор
MMBF170 ( 6Z ) Транзистор Корпус: SOT23
Структура: N-база
Макс. напряжение (Uкэ), В: 60
Макс. ток (Iк), А: 0.5
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 60
Макс. ток (Iси), А: 0.5
97
Нет в наличии
MMBFJ177LT1G Транзистор
MMBFJ177LT1G Транзистор Корпус: SOT23
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 0.02
150
В наличии В наличии: 18 шт