ГлавнаяКаталог товаровТранзисторыТранзисторы полевые, IGBT

Транзисторы полевые, IGBT

Все| Нет в наличии| Есть в наличии
На странице:
10
20
30
Все
P2804 Транзистор
P2804 Транзистор Корпус: PPAK
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 40
Макс. ток (Iси), А: 25
92
В наличии В наличии: 1 шт
В корзину
PSMN035-150P Транзистор
PSMN035-150P Транзистор Корпус: TO220
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 150
Макс. ток (Iси), А: 50
513
Нет в наличии
QM3016D Транзистор
QM3016D Транзистор Корпус: TO252
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 96
180
Нет в наличии
R4383 Транзистор
R4383 Транзистор Корпус: TO252
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 55
Макс. ток (Iси), А: 36
287
Нет в наличии
RD01MUS2 ( K5) Транзистор
RD01MUS2 ( K5) Транзистор Корпус: SOT89
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 0.6
231
Нет в наличии
RD07MVS1 Транзистор
RD07MVS1 Транзистор Корпус: SLP
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 3
370
В наличии В наличии: 3 шт
В корзину
RD15HVF1 Транзистор
RD15HVF1 Транзистор Корпус: TO220
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 4
292
Нет в наличии
RD16HHF1 Транзистор
RD16HHF1 Транзистор Корпус: TO220
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 50
Макс. ток (Iси), А: 5
650
В наличии В наличии: 2 шт
В корзину
RDN 150N20 Транзистор
RDN 150N20 Транзистор Корпус: TO220F
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 200
Макс. ток (Iси), А: 15
165
Нет в наличии
RFD 15P05 Транзистор
RFD 15P05 Транзистор Корпус: TO251
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 50
Макс. ток (Iси), А: 15
76
Нет в наличии
RFD 15P12 Транзистор
RFD 15P12 Транзистор Корпус: TO220
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 120
Макс. ток (Iси), А: 15
184
В наличии В наличии: 2 шт
В корзину
RHU002N06FRAT106STB Транзистор
RHU002N06FRAT106STB Транзистор Корпус: SOT323
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 60
Макс. ток (Iси), А: 0.2
50
Нет в наличии
RJH30E2 Транзистор
RJH30E2 Транзистор Корпус: TO220F
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 360
Макс. ток (Iси), А: 30
71
В наличии В наличии: 4 шт
В корзину
RJH60F5DPK Транзистор
RJH60F5DPK Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 80
263
В наличии В наличии: 1 шт
В корзину
RJP30H1 TO252 Транзистор
RJP30H1 TO252 Транзистор Корпус: TO252
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 360
Макс. ток (Iси), А: 30
62
В наличии В наличии: 2 шт
В корзину
RJP30H1 Транзистор
RJP30H1 Транзистор Корпус: TO220F
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 360
Макс. ток (Iси), А: 30
160
Нет в наличии
RJP30H2A Транзистор
RJP30H2A Транзистор Корпус: D2PAK
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 360
Макс. ток (Iси), А: 35
350
В наличии В наличии: 1 шт
В корзину
RJP43F4ADPP Транзистор
RJP43F4ADPP Транзистор Корпус: TO220F
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 430
Макс. ток (Iси), А: 40
329
Нет в наличии
RJP63F3 Транзистор
RJP63F3 Транзистор Корпус: TO220F
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 430
Макс. ток (Iси), А: 40
125
В наличии В наличии: 3 шт
В корзину
RJP63K2 D2PAK Транзистор
RJP63K2 D2PAK Транзистор Корпус: D2PAK
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 630
Макс. ток (Iси), А: 35
168
Нет в наличии
272829303132333435