Транзисторы полевые, IGBT

GT50T301 Транзистор
GT50T301 Транзистор Корпус: 2-21F1A
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 1500
Макс. ток (Iси), А: 50
400
Нет в наличии
GT60N321 Транзистор
GT60N321 Транзистор Корпус: 2-21F2C
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 1000
Макс. ток (Iси), А: 60
391
В наличии В наличии: 3 шт
GW 30NC60 KD Транзистор
GW 30NC60 KD Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 20
315
Нет в наличии
GW 40V60DF Транзистор
GW 40V60DF Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 40
435
Нет в наличии
GW 60V60DF Транзистор
GW 60V60DF Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 60
H15R1203 Транзистор
H15R1203 Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 1200
Макс. ток (Iси), А: 15
170
В наличии В наличии: 2 шт
H20R1202 (20N120R2) Транзистор
H20R1202 (20N120R2) Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 1200
Макс. ток (Iси), А: 20
373
Нет в наличии
H20R1203 Транзистор
H20R1203 Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 1200
Макс. ток (Iси), А: 20
375
Нет в наличии
H30R1202 (30N120R2) Транзистор
H30R1202 (30N120R2) Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 1200
Макс. ток (Iси), А: 30
283
Нет в наличии
H30R1203 (30N120R3) Транзистор
H30R1203 (30N120R3) Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 1200
Макс. ток (Iси), А: 30
720
Нет в наличии
H40R1203  ( 40N120R3 ) Транзистор
H40R1203 ( 40N120R3 ) Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 1200
Макс. ток (Iси), А: 40

Цена уточняется

Нет в наличии
HGTG20N60A4 Транзистор
HGTG20N60A4 Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 20
364
В наличии В наличии: 1 шт
HGTG20N60A4D (KGF20N60KDA) Транзистор
HGTG20N60A4D (KGF20N60KDA) Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 20
355
Нет в наличии
HN75N09AP Транзистор
HN75N09AP Транзистор Корпус: TO220
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 90
Макс. ток (Iси), А: 75
200
В наличии В наличии: 9 шт
HUF75344G Транзистор
HUF75344G Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 55
Макс. ток (Iси), А: 75
422
В наличии В наличии: 3 шт
HV82FI Транзистор
HV82FI Транзистор Корпус: TO3PF
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 800
Макс. ток (Iси), А: 3.2
179
Нет в наличии
IHW 20N135R5 (H20PR5) Транзистор
IHW 20N135R5 (H20PR5) Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 1350
Макс. ток (Iси), А: 20
550
Нет в наличии
IHW 30N160R2 (30R1602) Транзистор
IHW 30N160R2 (30R1602) Транзистор Корпус: TO247
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 1600
Макс. ток (Iси), А: 60
540
Нет в наличии
IKW 40N60H3 (K40H603) Транзистор
IKW 40N60H3 (K40H603) Транзистор Корпус: TO247AC
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 75
325
В наличии В наличии: 1 шт
IKW25T120 Транзистор
IKW25T120 Транзистор Корпус: TO247AC
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 1200
Макс. ток (Iси), А: 50
447
В наличии В наличии: 1 шт
IKW50N60H3 ( K50H603 ) Транзистор
IKW50N60H3 ( K50H603 ) Транзистор Корпус: TO247AC
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 100
499
Нет в наличии
IPB107N20 Транзистор
IPB107N20 Транзистор Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 200
Макс. ток (Iси), А: 88
621
Нет в наличии
IPD70S900P7SAUMA1 Транзистор
IPD70S900P7SAUMA1 Транзистор Корпус: DPAK
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 700
Макс. ток (Iси), А: 6
168
Нет в наличии
IPP 60R190C6 (6R190C6) Транзистор
IPP 60R190C6 (6R190C6) Транзистор Корпус: TO220
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 650
Макс. ток (Iси), А: 20
337
Нет в наличии
IPS 135N03L Транзистор
IPS 135N03L Транзистор Корпус: TO251
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 30
92
Нет в наличии
IR2106S Транзистор
IR2106S Транзистор Корпус: SO8
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 20
Макс. ток (Iси), А: 0.12
271
Нет в наличии
IR2118 Транзистор
IR2118 Транзистор Корпус: DIP8
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 0.42
164
Нет в наличии
IR21844SPBF Транзистор
IR21844SPBF Транзистор Корпус: SO14
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 2.3
325
Нет в наличии
IR2184S Транзистор
IR2184S Транзистор Корпус: SO8
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 20
Макс. ток (Iси), А: 1.9
395
В наличии В наличии: 2 шт
IRAMS10UP60A Транзистор
IRAMS10UP60A Транзистор Корпус: IGBT-module
Структура: N-channel
Тип: IGBT
Макс.напряжение (Uси), В: 600
Макс. ток (Iси), А: 10
3 399
Нет в наличии