Транзисторы полевые, IGBT
IRL2910SPBF Транзистор
Корпус:
D2PAK
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
55
IRL3103 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
56
IRL3705N Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
55
Макс. ток (Iси), А:
89
IRL3705NS Транзистор
Корпус:
D2PAK
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
55
Макс. ток (Iси), А:
89
IRL3713 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
200
IRL3803 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
120
IRL40SC228 Транзистор
Корпус:
D2PAK-7
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
40
Макс. ток (Iси), А:
557
IRL530N Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
17
IRLB3034 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
40
Макс. ток (Iси), А:
343
IRLB3813 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
260
IRLB4132 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
78
IRLL014 Транзистор
Корпус:
SOT223
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
2.7
IRLML2246 Транзистор
Корпус:
SOT23
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
20
Макс. ток (Iси), А:
2.6
IRLML2402 Транзистор
Корпус:
SOT23
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
20
Макс. ток (Iси), А:
1.2
IRLML2502 ( 1G9K ) Транзистор
Корпус:
SOT23
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
20
Макс. ток (Iси), А:
4.2
IRLML2803 Транзистор
Корпус:
SOT23
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
1.2
IRLML6401 Транзистор
Корпус:
SOT23
Структура:
P-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
12
Макс. ток (Iси), А:
4.3
IRLML6402 Транзистор
Корпус:
SOT23
Структура:
P-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
20
Макс. ток (Iси), А:
3.7
IRLR2705 Транзистор
Корпус:
TO251
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
55
Макс. ток (Iси), А:
24
IRLR2905 Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
55
Макс. ток (Iси), А:
36
IRLR3103 Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
46
IRLR3110 Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
63
IRLR7833 Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
140
IRLR7843 Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
161
IRLU120N Транзистор
Корпус:
IPAK
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
11
IRLU8726PBF Транзистор
Корпус:
IPAK
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
86
IRLZ24N Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
86
IRLZ34N Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
55
Макс. ток (Iси), А:
27
ISL9V3040S3ST (V3040) Orig. Транзистор
Корпус:
D2PAK
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
400
Макс. ток (Iси), А:
18
IXDD404SI Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
35
Макс. ток (Iси), А:
4