Транзисторы полевые, IGBT
IXTQ50N25T Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
250
Макс. ток (Iси), А:
50
J201 TO92 Транзистор
Корпус:
TO92
Структура:
N-channel
Тип:
JFET
Макс.напряжение (Uси), В:
40
Макс. ток (Iси), А:
0.05
J601 Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
36
K 30H603 (IKW30n60H3) Транзистор
Корпус:
TO247AC
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
60
M4003D Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
40
Макс. ток (Iси), А:
27
M4004D Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
40
Макс. ток (Iси), А:
42
MDD1653 Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
50
ME 15N10 Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
14.7
MMBF170 ( 6Z ) Транзистор
Корпус:
SOT23
Структура:
N-база
Макс. напряжение (Uкэ), В:
60
Макс. ток (Iк), А:
0.5
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
0.5
MMBFJ177LT1G Транзистор
Корпус:
SOT23
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
0.02
MMBFJ201 Транзистор
Корпус:
SOT23
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
40
Макс. ток (Iси), А:
0.5
MMBFJ202 Транзистор
Корпус:
SOT23
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
40
Макс. ток (Iси), А:
0.004
MMD 50R380P Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
550
Макс. ток (Iси), А:
11
MTD 20N03L Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
20
MTD 20P06HDL Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
15
MTP305 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
14
NCE3080K Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
80
NCE3095K Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
95
NCEP018N85LL Транзистор
Корпус:
TOLL
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
85
Макс. ток (Iси), А:
320
NCEP020N10LL Транзистор
Корпус:
TOLL
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
330
NCEP023N10LL Транзистор
Корпус:
TOLL
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
300
NCEP3090GU Транзистор
Корпус:
PDFNWB 5x6
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
90
NCEP40T35ALL Транзистор
Корпус:
TOLL
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
40
Макс. ток (Iси), А:
350
NCEP85T14 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
85
Макс. ток (Iси), А:
140
NGD8201ANT4G Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
400
Макс. ток (Iси), А:
20
NGD8202AN Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
400
Макс. ток (Iси), А:
20
NGTB 40N60FL Транзистор
Корпус:
TO247AC
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
75
NTD4804NG Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
19.6
NTF 3055-N (L) SOT223 Транзистор
Корпус:
SOT223
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
2.7
P2103NVG Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N/P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
6