Транзисторы полевые, IGBT
FDS9933 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
2P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
20
Макс. ток (Iси), А:
5
FDS9945 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
3.5
FDS9962 Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
40
Макс. ток (Iси), А:
7
FGA 15N120AND Транзистор
Корпус:
TO3P
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1200
Макс. ток (Iси), А:
24
FGA 25N120ANTD Транзистор
Корпус:
TO3P
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1200
Макс. ток (Iси), А:
75
FGD4536 Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
360
Макс. ток (Iси), А:
50
FGH 30S130P Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
P-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1300
Макс. ток (Iси), А:
60
FGH 40N60SFD Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
75
FGH 40N60SFDTU Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
75
FGH 40N60SMD Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
75
FGH60N60SFDTU Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
60
FGH60N60SMD Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
60
FGL 40N120AND Транзистор
Корпус:
TO3P
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1200
Макс. ток (Iси), А:
40
FH3703TL4 Транзистор
Корпус:
TOLL-4L
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
170
FKV550 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
4.2
Макс. ток (Iси), А:
50
FMH23N50E Транзистор
Корпус:
TO3P
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
500
Макс. ток (Iси), А:
23
FP7G50US60 Транзистор
Корпус:
IGBT-module
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
50
FPQF 7N65C Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
650
Макс. ток (Iси), А:
7
FQA 24N50 Транзистор
Корпус:
TO3P
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
50
Макс. ток (Iси), А:
24
FQA28N15 Транзистор
Корпус:
TO3P
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
15
Макс. ток (Iси), А:
33
FQA36P15 Транзистор
Корпус:
TO247
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
150
Макс. ток (Iси), А:
36
FQD 12N20L Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-Iogic
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
200
Макс. ток (Iси), А:
9
FQP 11P06 Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
11
FQP 11P06 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
11
FQP 12NF10 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
50
FQP 12P10 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
11.5
FQP 17P10 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
17
FQP 4N90C Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
900
Макс. ток (Iси), А:
4
FQP11N40C Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
400
Макс. ток (Iси), А:
10.5
FQPF 12N60 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
12