Транзисторы полевые, IGBT
2SK3797 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
13
2SK3878 Транзистор
Корпус:
TO3P
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
900
Макс. ток (Iси), А:
9
2SK3919 Транзистор
Корпус:
TO251
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
25
Макс. ток (Iси), А:
64
2SK4075 Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
40
Макс. ток (Iси), А:
60
2SK4096 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
500
Макс. ток (Iси), А:
8
2SK4110 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
6
2SK4111 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
10
2SK427 Транзистор
Корпус:
TO92S
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
15
Макс. ток (Iси), А:
0.02
2SK791 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
850
Макс. ток (Iси), А:
3
2SK792 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
900
Макс. ток (Iси), А:
3