Транзисторы полевые, IGBT

AOD606 Транзистор
AOD606 Транзистор Корпус: TO252-4
Структура: N/P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 40
Макс. ток (Iси), А: 8
158
Нет в наличии
AOD609 Транзистор
AOD609 Транзистор Корпус: TO252
Структура: N/P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 40
Макс. ток (Iси), А: 12
150
Нет в наличии
AON7200 Транзистор
AON7200 Транзистор Корпус: SOP8
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 40
285
Нет в наличии
AOP605 Транзистор
AOP605 Транзистор Корпус: DIP8
Структура: N/P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 6.6
88
В наличии В наличии: 3 шт
AP 40T03P Транзистор
AP 40T03P Транзистор Корпус: DPAK
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 25
Макс. ток (Iси), А: 28
173
Нет в наличии
AP 40T03P Транзистор
AP 40T03P Транзистор Корпус: TO220
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 25
Макс. ток (Iси), А: 28
139
В наличии В наличии: 4 шт
AP 40T03S Транзистор
AP 40T03S Транзистор Корпус: D2PAK
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 28
149
В наличии В наличии: 21 шт
AP2761I-A Транзистор
AP2761I-A Транзистор Корпус: TO220F
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 650
Макс. ток (Iси), А: 10
217
В наличии В наличии: 1 шт
AP4506GEH Транзистор
AP4506GEH Транзистор Корпус: TO252-5
Структура: N/P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 30
Макс. ток (Iси), А: 20
97
В наличии В наличии: 9 шт
AP4525G Транзистор
AP4525G Транзистор Корпус: SO8
Структура: N/P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 40
Макс. ток (Iси), А: 12
119
В наличии В наличии: 2 шт