Транзисторы полевые, IGBT
AP4525GEH Транзистор
Корпус:
TO252-4
Структура:
N/P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
40
Макс. ток (Iси), А:
15
APM 1110 Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
2.7
APM 2095P Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
20
Макс. ток (Iси), А:
3.6
APM 2509 Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
25
Макс. ток (Iси), А:
50
APM 2510 Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
25
Макс. ток (Iси), А:
50
APM 3055L Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
15
APM 3095 Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
12
APM2054N Транзистор
Корпус:
TO252
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
20
Макс. ток (Iси), А:
5
APM4548A Транзистор
Корпус:
SO8
Структура:
N/P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
30
Макс. ток (Iси), А:
6
ATF-36077-TR1 Транзистор
Корпус:
4-SMD
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
3
Макс. ток (Iси), А:
0.045
B 31N20D Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
200
Макс. ток (Iси), А:
31
BF998 (MO) , (MOs) Транзистор
Корпус:
SOT143
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
12
Макс. ток (Iси), А:
0.03
BS107 Транзистор
Корпус:
TO92
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
20
Макс. ток (Iси), А:
0.25
BS108 Транзистор
Корпус:
TO18
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
200
Макс. ток (Iси), А:
0.25
BS170 Транзистор
Корпус:
TO92
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
0.25
BS250 Транзистор
Корпус:
TO92
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
45
Макс. ток (Iси), А:
0.09
BSM300GB120DLC Транзистор
Корпус:
IGBT-module
Структура:
N-channel
Тип:
IGBT
Макс.напряжение (Uси), В:
1200
Макс. ток (Iси), А:
300
BSN254 Транзистор
Корпус:
TO92
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
250
Макс. ток (Iси), А:
0.3
BSP135L6327 Транзистор
Корпус:
SOT223
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
0.12
BSP254A Транзистор
Корпус:
TO92
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
20
Макс. ток (Iси), А:
0.2
BSP300 Транзистор
Корпус:
SOT223
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
800
Макс. ток (Iси), А:
0.19
BSP92 Транзистор
Корпус:
SOT223
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
240
Макс. ток (Iси), А:
0.18
BSS129 Транзистор
Корпус:
TO92
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
240
Макс. ток (Iси), А:
0.15
BSS138 (K38) (SS) (-SS) (SSs) Транзистор
Корпус:
SOT23
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
50
Макс. ток (Iси), А:
0.22
BSS295 Транзистор
Корпус:
TO92
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
50
Макс. ток (Iси), А:
1.4
BSS84 (84L) (K84) (PD) (SP) (SPs) (YBs) Транзистор
Корпус:
SOT23
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
50
Макс. ток (Iси), А:
0.13
BSS88 Транзистор
Корпус:
TO92
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
240
Макс. ток (Iси), А:
0.25
BSS92 Транзистор
Корпус:
TO92
Структура:
P-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
240
Макс. ток (Iси), А:
0.15
BUK444-800 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
800
Макс. ток (Iси), А:
1.2
BUK455-100 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
13