Технические характеристики прибора: Автоматическое определение расположения выводов следующих компонентов: - биполярных транзисторов (N-P-N и P-N-P); - полевых транзисторов (N- и P-канальных MOSFET и JFET); - диодов и диодных сборок; - тиристоров; - симисторов. - IGBT-транзисторов Измерение: - коэффициента усиления (h21э) , падение напряжения на переходе база-эмиттер, обратный ток утечки К-Э биполярных транзисторов; - напряжения открывания, емкости затвора , сопротивления открытого канала, наличие защитного диода С-И (и прямое падение напряжения на нем) полевых транзисторов; - сопротивления до 2-х резисторов одновременно (удобно при проверке переменных/подстроечных резисторов) в пределах от 0.1 Ом до 50 МОм; - емкости конденсаторов в пределах от 10 пФ до 100 000 мкФ; - падения напряжения (прямое включение), емкости (обратное включение) и тока утечки диодов; - индуктивности в пределах от 0.01 мГн до 20 Гн; - напряжения стабилизации стабилитронов (до 36В).
Вход
