ГлавнаяКаталог товаровТранзисторыТранзисторы полевые, IGBT

Транзисторы полевые, IGBT

Все| Нет в наличии| Есть в наличии
На странице:
10
20
30
Все
2SJ177 Транзистор
2SJ177 Транзистор Корпус: TO220F
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 60
Макс. ток (Iси), А: 20
189
В наличии В наличии: 3 шт
В корзину
2SJ200 Транзистор
2SJ200 Транзистор Корпус: TO3P
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 180
Макс. ток (Iси), А: 10
318
Нет в наличии
2SJ201 Транзистор
2SJ201 Транзистор Корпус: 2-21F1A
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 200
Макс. ток (Iси), А: 12
4 164
В наличии В наличии: 1 шт
В корзину
2SJ377 Транзистор
2SJ377 Транзистор Корпус: D2PAK
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 60
Макс. ток (Iси), А: 5
88
Нет в наличии
2SJ449 Транзистор
2SJ449 Транзистор Корпус: TO220F
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 250
Макс. ток (Iси), А: 6
78
Нет в наличии
2SJ5027F plast Транзистор
2SJ5027F plast Транзистор Корпус: TO220F
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 300
Макс. ток (Iси), А: 3
108
В наличии В наличии: 3 шт
В корзину
2SJ512 Транзистор
2SJ512 Транзистор Корпус: TO220F
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 250
Макс. ток (Iси), А: 5
91
Нет в наличии
2SJ5804 Транзистор
2SJ5804 Транзистор Корпус: TO3PF
Структура: NPN
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 60
Макс. ток (Iси), А: 1.8
Макс. напряжение (Uкэ), В: 1700
Макс. ток (Iк), А: 20
Коэф. усиления (h21э): 80
Макс. частота (fгр), МГц: 45
149
Нет в наличии
2SJ6806D Транзистор
2SJ6806D Транзистор Корпус: TO3PF
Структура: P-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 200
Макс. ток (Iси), А: 2.5
201
Нет в наличии
2SK1058 Транзистор
2SK1058 Транзистор Корпус: TO3PB
Структура: N-channel
Тип: MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В: 160
Макс. ток (Iси), А: 7
463
Нет в наличии
1234567