Транзисторы полевые, IGBT
2SK1101 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
450
Макс. ток (Iси), А:
15
2SK1102 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
500
Макс. ток (Iси), А:
10
2SK1117 Транзистор
Корпус:
TO220
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
6
2SK1118 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
600
Макс. ток (Iси), А:
6
2SK1120 Транзистор
Корпус:
TO3P
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
1000
Макс. ток (Iси), А:
8
2SK1271 Транзистор
Корпус:
TO3P
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
1400
Макс. ток (Iси), А:
5
2SK1286 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
60
Макс. ток (Iси), А:
15
2SK1299 Транзистор
Корпус:
DPAK
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
100
Макс. ток (Iси), А:
3
2SK1317 Транзистор
Корпус:
TO3P
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
1500
Макс. ток (Iси), А:
2.5
2SK1377 Транзистор
Корпус:
TO220F
Структура:
N-channel
Тип:
MOSFET
Макс.напряжение (Uси), В:
400
Макс. ток (Iси), А:
5.5